理大研納米磁助半導體產業

由澳門理工大學應用科學學院博士王鐸，瑞典烏普薩拉大學，美國內布拉斯加大學卡尼爾分校，山東高等技術研究院，東南大學課題組成員組成的研究團隊，在納米磁性領域取得新突破，透過深入研究磁斯格明子的複雜行為，提出一種產生極性斯格明子的機制，研究成果在國際頂尖期刊《自然》系列之《npj二維材料與應用》上發表，為半導體材料研發提供新的思路和基礎，有望打破半導體技術的物理極限，推動電子設備的體積和性能的進化。

半導體是先進科技的基石，科學家用其控制電流的特性，製作出電子零件，廣泛應用於電腦、智能手機、智能家電等電子產品，成就現代數碼生活。科學家一直致力於探索能製作更微型、更高效能電子元件的材料，並於二○○九年發現了一種納米磁結構，稱為磁斯格明子。研究成果將顯著提高電子元件存儲性能，促使電子產品運行速度更快、功耗更低、更省電節能，有提升電腦，甚至有潛力提升未來量子電腦的資料處理速度。研究發現將助力新一代納米技術和半導體產業發展，在未來電子產品的研發中發揮至關重要的作用。